OFELIA DURANTE | Progetti

Lo scopo della ricerca è l⿿utilizzo materiali nanostrutturati monodimensionali (1D) e bidimensionali (2D) per applicazioni elettroniche ed optoelettroniche. Verranno studiate le proprietà di trasporto elettrico e la fotorisposta di materiali 1D e 2D in diodi, transistor e dispositivi ad emissione di campo. Si utilizzeranno nanotubi e nanofili semiconduttori (InAs, WS2, SWCNT, etc.) o metallici (MW

Lo scopo della ricerca è l⿿utilizzo materiali nanostrutturati monodimensionali (1D) e bidimensionali (2D) per applicazioni elettroniche ed optoelettroniche. Verranno studiate le proprietà di trasporto elettrico e la fotorisposta di materiali 1D e 2D in diodi, transistor e dispositivi ad emissione di campo. Si utilizzeranno nanotubi e nanofili semiconduttori (InAs, WS2, SWCNT, etc.) o metallici (MW

Lo scopo del progetto è l'utilizzo di nanoparticelle (0D) e materiali nanostrutturati monodimensionali (1D) e bidimensionali (2D) per applicazioni optoelettroniche ed energetiche. Verranno studiati diodi, transistor ad effetto di campo, dispositivi ad emissione di campo, super-capacitori e celle a combustibile. Si utilizzeranno nanoparticelle di ossidi di metalli di transizione (ZnFe2O4, NiCo2O4,

Il progetto continuerà nello studio delle proprietà di trasporto elettricodi film sottili di NbReN per applicazioni come rivelatori superconduttivi di singolo fotone. Si proseguirà con lo studio dell'interazione tra superconduttività e magnetismo in bilayers NbRe/Co. Sarà inoltre condotta una ricerca di ottimizzazione, sia numericamente che sperimentalmente, dell'amplificatore parametrico basato