Carmine ATTANASIO | Deposizione e caratterizzazione elettrica di film sottili ed eterostrutture superconduttive

Il laboratorio è dotato di due sistemi di sputtering per la deposizione di film metallici, di cui uno UHV a tre sorgenti, dotato di camera di load-lock. Le misure di trasporto elettrico a bassa temperatura vengono effettuate in due criostati a 4He. Il primo, a temperatura variabile da 300 K a 2.2 K, consente di lavorare in presenza di campi magnetici fino a 11 T. Il sistema è inoltre corredato da un inserto Heliox VL Oxford Instruments a 3He che consente di raggiungere temperature fino a 300 mK. Il secondo criostato opera nel range di temperature da 10 K a 1.8 K in campi fino a 4 T. Un inserto rotante, che consente di variare l'orientazione tra campione e campo magnetico esterno, è compatibile con entrambi i criostati

Telefono: 089 96 8259

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