Antonio DI BARTOLOMEO | TRANSISTORI ALLA NANOSCALA
Antonio DI BARTOLOMEO TRANSISTORI ALLA NANOSCALA
cod. 8860200016
TRANSISTORI ALLA NANOSCALA
| 8860200016 | |
| DIPARTIMENTO DI FISICA "E.R. CAIANIELLO" | |
| Corso di Dottorato (D.M.226/2021) | |
| FISICA E TECNOLOGIE EMERGENTI | |
| 2022/2023 |
| ANNO CORSO 1 | |
| ANNO ORDINAMENTO 2022 | |
| ANNUALE |
| SSD | CFU | ORE | ATTIVITÀ | |
|---|---|---|---|---|
| FIS/01 | 2 | 10 | LEZIONE |
| Obiettivi | |
|---|---|
| L'INSEGNAMENTO HA L'OBIETTIVO DI FORNIRE UNA CONOSCENZA APPROFONDITA DELLA FISICA DEI MODERNI TRANSISTOR AD EFFETTO DI CAMPO ED IN PARTICOLARE DEI FENOMENI CHE SI MANIFESTANO CON LA RIDUZIONE DELLE DIMENSIONI ALLA NANOSCALA; COPRE INOLTRE DISPOSITIVI BASATI SU MATERIALI NANOSTRUTTURATI. |
| Prerequisiti | |
|---|---|
| ANALISI MATEMATICA, ELETTROMAGNETISMO, MECCANICA QUANTISTICA E FISICA DELLO STATO SOLIDO. |
| Contenuti | |
|---|---|
| TRANSISTOR AD EFFETTO DI CAMPO METALLO-OSSIDO-SEMICONDUTTORE (MOSFET). (2 ORE) NANOTRANSISTOR CON TRASPORTO BALISTICO: MOSFET 1D, 2D E BULK. (2 ORE) SCALING E COMPARSA DI EFFETTI DI CANALE CORTO. (1 ORA) TRANSISTOR AD EFFETTO DI CAMPO ULTRATHIN-BODY E A NANOFILI. (2 ORE) TRANSISTOR AD EFFETTO DI CAMPO CON SOURCE-DRAIN METALLICO. MOSFET A BARRIERA SCHOTTKY. (2 ORE) DISPOSITIVI BASATI SU MATERIALI 2D. (1 ORA) |
| Metodi Didattici | |
|---|---|
| LEZIONI TRADIZIONALI CON PRESENTAZIONE DEI FENOMENI SPERIMENTALI E DELLA INTERPRETAZIONE TEORICA E CALCOLI REALIZZATI IN MANIERA DETTAGLIATA. |
| Verifica dell'apprendimento | |
|---|---|
| LA VERIFICA DELL’APPRENDIMENTO RICHIEDE UNA PROVA ORALE DELLA DURATA DI CIRCA UN’ORA. LA PROVA ORALE VERTE SU UN SOTTOINSIEME DI ARGOMENTI DEL CORSO SCELTI A CASO ED HA LO SCOPO DI APPROFONDIRE IL LIVELLO DELLE CONOSCENZE TEORICHE, L’AUTONOMIA DI ANALISI E DI GIUDIZIO, NONCHÉ LE CAPACITÀ ESPOSITIVE DELLO STUDENTE. IL LIVELLO DI VALUTAZIONE TIENE CONTO DELL’EFFICIENZA DEI METODI UTILIZZATI, DELLA COMPLETEZZA ED ESATTEZZA DELLE RISPOSTE, NONCHÉ DELLA CHIAREZZA NELLA PRESENTAZIONE. IL LIVELLO DI VALUTAZIONE MINIMO (SUFFICIENTE) È ATTRIBUITO QUANDO LO STUDENTE DIMOSTRA INCERTEZZE NELL’APPLICAZIONE DEI METODI E HA UNA LIMITATA CONOSCENZA DELLE PRINCIPALI PROPRIETÀ DEI DIVERSI TIPI DI DISPOSITIVI TRATTATI. IL LIVELLO MASSIMO (ECCELLENTE) È ATTRIBUITO QUANDO LO STUDENTE DIMOSTRA UNA CONOSCENZA COMPLETA ED APPROFONDITA DELLA FISICA DEI DISPOSITIVI ED È IN GRADO DI FORMALIZZARLA ANALITICAMENTE. IL GIUDIZIO FINALE SI OTTIENE TENENDO CONTO DELLA PROVA ORALE ED IN PICCOLA PARTE DELLA FREQUENZA DEL CORSO. |
| Testi | |
|---|---|
| M. LUNDSTROM, FUNDAMENTALS OF NANOTRANSISTORS, WORLD SCIENTIFIC, 2017 J. KNOCH, NANOELECTRONICS, DE GRUYTER, 2021 |
| Altre Informazioni | |
|---|---|
| IL DOCENTE È SEMPRE DISPONIBILE PER INFORMAZIONI O DISCUSSIONI SUI CONTENUTI DEL CORSO. E-MAIL: ADIBARTOLOMEO@UNISA.IT |
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