Luigi DI BENEDETTO | Progetti

L'obiettivo del progetto riguarda lo sviluppo di circuiti elettronici per il condizionamento e per il processamento di segnali connessi a sensori ambientali ed inerziali. Tali sensori sono nello stesso package o die. A tal fine si perseguiranno due linee di sviluppo con approcci ed applicazioni molto diversi:- Una linea di ricerca, basata su tecnologia a semiconduttori ad ampio band-gap come il

Principale obiettivo del progetto riguarda lo sviluppo di sistemi elettronici a bassa dissipazione di potenza per implementare sistemi di extreme edge computing. Tali sistemi consentiranno il processamento in locale dei segnali ottenuti da alcuni tipi di sensori MEMS, audio ed inerziali in particolare, e la trasmissione di tali contenuti a sistemi di processamento/immagazzinamento remoti. Per tali

Obiettivi principali della ricerca sono il design e la modellistica di circuiti integrati e di dispositivi elettronici a semiconduttore per sensori con elementi di innovazione che coinvolgono sia l'elemento sensibile, sia i circuiti di interfacciamento. Si svilupperanno e caratterizzeranno elettricamente sensori di temperatura e UV in Carburo di Silicio 4H (4H-SiC). SI progetteranno elementi sensi

Obiettivi principali della ricerca sono il design e la modellistica di circuiti integrati e di dispositivi elettronici a semiconduttore per sistemi smart sensor. Dal punto di vista del dispositivo si lavorerà con semiconduttori alternativi al silicio, in particolare Carburo di Silicio politipo 4H (4H-SiC) per la realizzazione di elementi sensibili con prestazioni migliori rispetto al silicio conve

Caratterizzazione di dispositivi elettronicie sviluppo di circuiti in tecnologia 4H-SiC per sensori e per applicazioni di potenza

Obiettivo dell'attività di ricerca è la progettazione di transistori in Carburo di Silicio politipo 4H (4H-SiC) e nella realizzazione di circuiti logici mediante transistori in materiali organici. I transistori in 4H-SiC saranno orientati ad applicazioni di potenza per le quali sarà necessario approfondire il comportamento termico delle giunzioni p-n in carburo di silicio. La realizzazione di circ