Curriculum

Curriculum Docente

Luigi Di Benedetto è nato a Salerno nel 1984.

Ha conseguito la laurea triennale e specialistica in Ingegneria Elettronica (cum laude) nel 2006 e 2009, rispettivamente, presso l'Università degli studi di Salerno. Nel 2013 il titolo di Dottore di Ricerca in Ingegneria Elettronica presso la stessa università.

Dal 2021 è ricercatore a tempo determinato tipo B (RTD-B) per il s.s.d. ING-INF/01 (Elettronica) presso il Dipartimento di Ingegneria Industriale (DIIn) dell'Università degli studi Salerno.

Dal 2018 al 2021 è ricercatore a tempo determinato tipo A (RTD-A) per il s.s.d. ING-INF/01 (Elettronica) presso il Dipartimento di Ingegneria Industriale (DIIn) dell'Università degli studi Salerno.

Dal 2013 al 2018 è assegnista di ricerca presso il Dipartimento di Ingegneria Industriale (DIIn), dell'Università degli studi di Salerno.

Dal 2016 è docente a contratto del corso di Elettronica Analogica (9 CFU) in Ingegneria Elettronica laurea di primo livello, presso il Dipartimento di Ingegneria Industriale (DIIn), dell'Università degli studi di Salerno, e dal 2021 del corso di Elettronica dei Sistemi Analogici (3 CFU) in Ingegneria Elettronica laurea magistrale, presso il Dipartimento di Ingegneria Industriale (DIIn), dell'Università degli studi di Salerno.

Nel 2013 è stato Visiting Scientist al Fraunhofer IISB ed al Friedrich-Alexander University, Erlangen-Nürnberg, Germania, lavorando sul comportamento in interdizione dei dispositivi bipolari di potenza in 4H-SiC. In particolare, ha analizzato mediante simulatore numerico TCAD Sentaurus e progettato le terminazioni laterali di diodi bipolari per tensioni di blocco superiori a 3.3kV.

Nel 2008 è stato Visiting student al KTH - Stoccolma (Svezia) e ha lavorato sulla fabbricazione e caratterizzazione elettro-termica di sensori ad InfraRosso (Bolometri) basati su strutture Multi Quantuum Well in tecnologia SiGe.

La sua attività scientifica principale include la modellistica, la simulazione e lo sviluppo di dispositividi potenza e sensori elettronici realizzati con semiconduttori wide band-gap, la progettazione di circuiti analogici e digitali integrati in tecnologia SiC e di sistemi VLSI e la progettazione di circuiti elettronici di potenza.

Dal 2020 è IEEE Senior member e dal 2018 è in possesso dell'ASN per il ruolo di Professore Associato nel s.s.d. ING-INF/01, s.c 09/E3 (Elettronica).

Ha pubblicato più di 80 lavori scientifici in riviste internazionali peer-review e conferenze. È revisore di diverse riviste internazionali peer-review, anche nominato Golden Reviewer IEEE Transactions on Electron Devices. È nell'editorial board di Active and Passive Electronic Components (ISSN:0882-7516) e Advances in Materials Science and Engineering (ISSN:1687-8434) pubblicati da Hindawi.

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Luigi Di Benedetto was born in Salerno, Italy, in 1984.

He received the B.Sc. and the M.Sc. degrees (cum laude) in Electronic Engineering and the Ph.D. degree in electronics engineering from the University of Salerno, Fisciano, Italy, in 2006, 2009 and 2013, respectively.

Since 2021 he is Assistant Professor (RTD-B) in s.s.d. ING-INF/01 (Elettronica) at the Department of Industrial Engineering (DIIn), University of Salerno.

From 2018 to 2021 he is Assistant Professor (RTD-A) in s.s.d. ING-INF/01 (Elettronica) at the Department of Industrial Engineering (DIIn), University of Salerno.

From 2013 to 2018 he is a post-doc at the Department of Industrial Engineering (DIIn), University of Salerno.

Since 2016 he is untenured professor of Elettronica Analogica course (9 CFU) in Bachelor’s degree in Electronic Engineering at the Department of Industrial Engineering (DIIn), University of Salerno, and since 2021 also of Elettronica dei Sistemi Digitali (3CFU) in Master’s degree in Electronic Engineering at the Department of Industrial Engineering (DIIn), University of Salerno

In 2013 he worked as Visiting Scientist at the Fraunhofer IISB and at Friedrich-Alexander University, Erlangen-Nürnberg, Germany, investigating on blocking behavior of 4H-SiC high voltage bipolar devices. In particular, he analyzed through numerical simulations in TCAD Sentaurus and designed the lateral terminations of 4H-SiC bipolar devices for blocking voltage higher than 3.3kV.

In 2008 he has been Visiting Student at KTH - Stockholm (Sweden) and he worked on the fabrication and electro-thermal characterizations of SiGe IR Multi Quantuum Well bolometers.

His main research interests include the modelling, simulation and development of high-power and sensor electronic devices based on wide bandgap semiconductor, the design of analogue and digital integrated circuits in SiC technology and of VLSI systems, and the design of power electronics circuits.

Since 2020 he is IEEE Senior member and in 2018 he has the ASN for Associate Professor in s.s.d. ING-INF/01, s.c. 09/E3 (Elettronica).

He published more than 80 papers in international journals and conferences and is reviewer for several international peer-review journals, also appointed Golden Reviewer IEEE Transactions on Electron Devices. He is an editorial board member of Active and Passive Electronic Components (ISSN:0882-7516) and Advances in Materials Science and Engineering (ISSN:1687-8434) published by Hindawi.