Antonio DI BARTOLOMEO | Pubblicazioni
Antonio DI BARTOLOMEO Pubblicazioni
| 2016 | |
| Articolo in rivista | |
| Leakage and field emission in side-gate graphene field effect transistors APPLIED PHYSICS LETTERS. Vol. 109. Pag.023510-023510 ISSN:0003-6951. | |
| DI BARTOLOMEO, Antonio; Giubileo, Filippo; Iemmo, Laura; Romeo, Francesco; Russo, S.; Unal, S.; Passacantando, Maurizio; Grossi, V.; Cucolo, Anna Maria | |
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| Digital Object Identifier (DOI): 10.1063/1.4958618 Codice identificativo ISI: WOS:000381155200064 Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84979633340 | |
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| 2016 | |
| Articolo in rivista | |
| Graphene Schottky diodes: An experimental review of the rectifying graphene/semiconductor heterojunction PHYSICS REPORTS. Vol. 606. Pag.1-58 ISSN:0370-1573. | |
| DI BARTOLOMEO, Antonio | |
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| Digital Object Identifier (DOI): 10.1016/j.physrep.2015.10.003 Codice identificativo ISI: WOS:000368867100001 Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84952631215 | |
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100406Observation of field emission from GeSn nanoparticles epitaxially grown on silicon nanopillar arrays
| 2016 | |
| Articolo in rivista | |
| Observation of field emission from GeSn nanoparticles epitaxially grown on silicon nanopillar arrays NANOTECHNOLOGY. Vol. 27. Pag.485707-485707 ISSN:1361-6528. | |
| DI BARTOLOMEO, Antonio; Passacantando, Maurizio; Niu, Gang; Schlykow, Viktoria; Lupina, Grzegorz; Giubileo, Filippo; Schroeder, Thomas | |
| Versione online | |
| Digital Object Identifier (DOI): 10.1088/0957-4484/27/48/485707 Codice identificativo ISI: WOS:000387799400002 Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84994891164 | |
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| 2016 | |
| Articolo in rivista | |
| Contact Resistance and Channel Conductance of Graphene Field-Effect Transistors under Low-Energy Electron Irradiation NANOMATERIALS. Vol. 6. Pag.206-206 ISSN:2079-4991. | |
| Giubileo, Filippo; DI BARTOLOMEO, Antonio; Martucciello, Nadia; Romeo, Francesco; Iemmo, Laura; Romano, Paola; Passacantando, Maurizio | |
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| Digital Object Identifier (DOI): doi:10.3390/nano6110206 Codice identificativo ISI: WOS:000390103400016 Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84998980892 | |
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| 2016 | |
| Articolo in rivista | |
| Selective Epitaxy of InP on Si and Rectification in Graphene/InP/Si Hybrid Structure ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES. Vol. 8. Pag.26948-26955 ISSN:1944-8244. | |
| Niu, Gang; Capellini, Giovanni; Hatami, Fariba; DI BARTOLOMEO, Antonio; Niermann, Tore; Hussein, Emad Hameed; Schubert, Markus Andreas; Krause, Hans Michael; Zaumseil, Peter; Skibitzki, Oliver; Lupina, Grzegorz; Masselink, William Ted; Lehmann, Michael; Xie, Ya Hong; Schroeder, Thomas | |
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| Digital Object Identifier (DOI): 10.1021/acsami.6b09592 Codice identificativo ISI: WOS:000385469000059 Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84991584992 | |
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