Alfredo RUBINO | Pubblicazioni
Alfredo RUBINO Pubblicazioni
| 2026 | |
| Articolo in rivista | |
| 4H-SiC PIN Diodes as Environment to Modify 7Be Radioactive Decay Time MATERIALS. Vol. 19. Pag.1-15 ISSN:1996-1944. | |
| Boldrini, Virginia; Di Benedetto, Luigi; Carrano, Vincenzo; Canino, Mariaconcetta; Casali, Nicola; Buompane, Raffaele; Santonastaso, Claudio; Mitsou, Maria Lucia; Chakraborty, Kajol; Yadav, Ravi Prakash; Singh, Arpana; Pieruccini, Marco; Degli Esposti Boschi, Cristian; Laubenstein, Matthias; Rubino, Alfredo; Formicola, Alba; Neitzert, Heinz Christoph; Gialanella, Lucio | |
| Digital Object Identifier (DOI): 10.3390/ma19132741 | |
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| 2026 | |
| Articolo in rivista | |
| A 4H-SiC CTAT Temperature Sensor Operating Between 14 and 481 K IEEE SENSORS LETTERS. Vol. 10. Pag.1-4 ISSN:2475-1472. | |
| Di Benedetto, L.; Rinaldi, N.; Rommel, M.; May, A.; Liguori, R.; Rubino, A.; Licciardo, G. D. | |
| Digital Object Identifier (DOI): 10.1109/LSENS.2025.3644002 Codice identificativo ISI: WOS:001649670800001 Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-105025580669 | |
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| 2026 | |
| Articolo in rivista | |
| Uniformity and Repeatability of the Electrical Performance of 4H-SiC Lateral CMOS Devices and Circuits After Postprocessing Annealing IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. Vol. 73. Pag.243-249 ISSN:0018-9383. | |
| Rinaldi, N.; Koerfer, J.; May, A.; Liguori, R.; Rubino, A.; Licciardo, G. D.; Rommel, M.; Di Benedetto, L. | |
| Digital Object Identifier (DOI): 10.1109/TED.2025.3640151 Codice identificativo ISI: WOS:001638281200001 Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-105024580178 | |
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| 2026 | |
| Articolo in rivista | |
| Overflow-Driven Dynamic Precision Scaling Fixed-Point Multiply-Accumulator Unit IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS. Pag.1-9 ISSN:1063-8210. | |
| Fasolino, A.; Liguori, R.; Di Benedetto, L.; Rubino, A.; Licciardo, G. D. | |
| Digital Object Identifier (DOI): 10.1109/TVLSI.2026.3680254 Codice identificativo ISI: WOS:001748532900001 Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-105037152601 | |
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| 2026 | |
| Articolo in rivista | |
| Second-Order Effects on 4H-SiC Lateral MOSFETs Characteristics up to 773 K IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. Vol. 73. Pag.754-760 ISSN:0018-9383. | |
| Rinaldi, N.; Rommel, M.; May, A.; Liguori, R.; Rubino, A.; Domenico Licciardo, G.; Di Benedetto, L. | |
| Digital Object Identifier (DOI): 10.1109/TED.2025.3641907 Codice identificativo ISI: WOS:001643528900001 Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-105025430801 | |
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| 2026 | |
| Contributo in Atti di convegno | |
| Effects of 673K Temperature Anneal on a 4H-SiC CMOS NOT Logic Gate. In: Materials Science ForumVol.1191, Pag.49-53 | |
| Internation Confernece on Silicon Carbide and Related Materials, 2025 busan, Korea Sud Settembre 2025 | |
| Rinaldi, N.; Di Benedetto, L.; Rommel, M.; May, A.; Baier, L.; Liguori, R.; Rubino, A.; Licciardo, G. D. | |
| Digital Object Identifier (DOI): 10.4028/p-4zjeaP Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-105039776911 | |
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| 2026 | |
| Contributo in Atti di convegno | |
| 4H-SiC Diodes to Probe Stark Effect Detection in 7Be Decay Lifetime. In: Materials Science ForumVol.1191, Pag.69-73 | |
| Internation Confernece on Silicon Carbide and Related Materials, 2025 busan, Korea Sud Settembre 2025 | |
| Boldrini, V.; Canino, M.; Pieruccini, M.; Carrano, V.; Neitzert, H. C.; Di Benedetto, L.; Santonastaso, C.; Buompane, R.; Mitsou, M. L.; Casali, N.; Yadav, R. P.; Laubenstein, M.; Boschi, C. D. E.; Rubino, A.; Formicola, A.; Gialanella, L. | |
| Digital Object Identifier (DOI): 10.4028/p-5ozE8T Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-105039828791 | |
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