Pubblicazioni

Alfredo RUBINO Pubblicazioni


2019
Articolo in rivista
A Bit-Line Voltage Sensing Circuit With Fused Offset Compensation and Cancellation Scheme
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS. II, EXPRESS BRIEFS. Vol. 66. Pag.1633-1637
ISSN:1549-7747.
Licciardo, Gian Domenico; Di Benedetto, Luigi; De Vita, Antonio; Rubino, Alfredo; Femia, Aldo
Digital Object Identifier (DOI): 10.1109/TCSII.2019.2928456
Codice identificativo ISI: WOS:000489738500007
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-85072771822
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2019
Articolo in rivista
Feasibility of 4H-SiC p-i-n Diode for Sensitive Temperature Measurements between 20.5 K and 802 K
IEEE SENSORS JOURNAL. Vol. 19. Pag.2871-2878
ISSN:1530-437X.
Matthus, C. D.; Di Benedetto, L.; Kocher, M.; Bauer, A. J.; Licciardo, G. D.; Rubino, Alfredo; Erlbacher, T.
Versione online
Digital Object Identifier (DOI): 10.1109/JSEN.2019.2891293
Codice identificativo ISI: WOS:000461860100009
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-85063250829
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2019
Contributo in Atti di convegno
A Novel 4H-SiC UV Photo-Transistor based on a Shallow Mesa Structure.
In: European Solid-State Device Research Conference Editions Frontieres Pag.246-249
ISBN:978-1-7281-1539-9
49th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2019
polonia 2019
Di Benedetto, L.; Licciardo, G. D.; Rubino, A.
Digital Object Identifier (DOI): 10.1109/ESSDERC.2019.8901687
Codice identificativo ISI: WOS:000520409500062
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-85075714524
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2019
Contributo in volume (Capitolo o Saggio)
Performance of 4H-SIC bipolar diodes as temperature sensor at low temperatures.
In Gammon P.M.,Shah V.A.,McMahon R.A.,Jennings M.R.,Vavasour O.,Mawby P.A.,Padfield F. Materials Science Forum Pag.572-575 Trans Tech Publications Ltd.
ISSN:0255-5476.
Di Benedetto, L.; Matthus, C. D.; Erlbacher, T.; Bauer, A. J.; Licciardo, G. D.; Rubino, A.; Frey, L.
Versione online
Digital Object Identifier (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.963.572
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-85071844069
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2019
Contributo in volume (Capitolo o Saggio)
First experimental test on bipolar mode field effect transistor prototype in 4H-SIC: A proof of concept.
In Gammon P.M.,Shah V.A.,McMahon R.A.,Jennings M.R.,Vavasour O.,Mawby P.A.,Padfield F. Materials Science Forum Pag.697-700 Trans Tech Publications Ltd.
ISSN:0255-5476.
Di Benedetto, L.; Licciardo, G. D.; Huerner, A.; Erlbacher, T.; Bauer, A. J.; Rubino, A.
Versione online
Digital Object Identifier (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.963.697
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-85071875692
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