Pubblicazioni

Gian Domenico LICCIARDO Pubblicazioni


2016
Contributo in volume (Capitolo o Saggio)
Analytical description of the input capacitance of 4H-SiC DMOSFET’s in presence of oxide-semiconductor interface traps.
In Saggio M.,Roccaforte F.,Giannazzo F.,Crippa D.,La Via F.,Nipoti R. Materials Science Forum Pag.825-828 Trans Tech Publications Ltd.
Licciardo, GIAN DOMENICO; DI BENEDETTO, Luigi; Bellone, Salvatore
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Digital Object Identifier (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.825
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84971570852
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