Publications

Luigi DI BENEDETTO Publications


2016
Articolo in rivista
Analytical Model and Design of 4H-SiC Planar and Trenched JBS Diodes
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. Vol. 63. Pag.2474-2481
ISSN:0018-9383.
DI BENEDETTO, Luigi; Licciardo, GIAN DOMENICO; Erlbacher, Tobias; Bauer, Anton J.; Bellone, Salvatore
Versione online
Digital Object Identifier (DOI): 10.1109/TED.2016.2549599
Codice identificativo ISI: WOS:000378592800038
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84988411245
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2016
Articolo in rivista
Design of an offset-tolerant voltage sense amplifier bit-line sensing circuit for SRAM memories
ELECTRONICS LETTERS. Vol. 52. Pag.1372-1373
ISSN:0013-5194.
Licciardo, GIAN DOMENICO; Cappetta, Carmine; DI BENEDETTO, Luigi; Rubino, Alfredo
Versione online
Digital Object Identifier (DOI): 10.1049/el.2016.1976
Codice identificativo ISI: WOS:000381378900009
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84979879886
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2016
Articolo in rivista
85-440 K Temperature Sensor Based on a 4H-SiC Schottky Diode
IEEE SENSORS JOURNAL. Vol. 16. Pag.6537-6542
ISSN:1530-437X.
Rao, S.; DI BENEDETTO, Luigi; Pangallo, G.; Rubino, Alfredo; Bellone, Salvatore; Della Corte, F. G.
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Digital Object Identifier (DOI): 10.1109/JSEN.2016.2591067
Codice identificativo ISI: WOS:000381502800008
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84982078832
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2016
Articolo in rivista
Frame buffer-less stream processor for accurate real-time interest point detection
INTEGRATION. Vol. 54. Pag.10-23
ISSN:0167-9260.
Licciardo, GIAN DOMENICO; Boesch, Thomas; Pau, Danilo; DI BENEDETTO, Luigi
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Digital Object Identifier (DOI): 10.1016/j.vlsi.2015.12.010
Codice identificativo ISI: WOS:000374362900002
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84962423942
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2016
Articolo in rivista
Optimized Design for 4H-SiC Power DMOSFET
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. Vol. 37. Pag.1454-1457
ISSN:0741-3106.
DI BENEDETTO, Luigi; Licciardo, GIAN DOMENICO; Erlbacher, T.; Bauer, A. J.; Rubino, Alfredo
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Digital Object Identifier (DOI): 10.1109/LED.2016.2613821
Codice identificativo ISI: WOS:000389331100022
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84994654276
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2016
Articolo in rivista
Modeling of the SiO2/SiC Interface-Trapped Charge as a Function of the Surface Potential in 4H-SiC Vertical-DMOSFET
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. Vol. 63. Pag.1783-1787
ISSN:0018-9383.
Licciardo, GIAN DOMENICO; DI BENEDETTO, Luigi; Bellone, Salvatore
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Digital Object Identifier (DOI): 10.1109/TED.2016.2531796
Codice identificativo ISI: WOS:000373063800057
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84988434172
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2016
Articolo in rivista
On the analogy of the potential barrier of trenched JFET and JBS devices
SOLID-STATE ELECTRONICS. Vol. 120. Pag.6-12
ISSN:0038-1101.
Bellone, Salvatore; DI BENEDETTO, Luigi; Licciardo, GIAN DOMENICO
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Digital Object Identifier (DOI): 10.1016/j.sse.2016.02.009
Codice identificativo ISI: WOS:000374342900002
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84960927121
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2016
Articolo in rivista
A Model of Electric Field Distribution in Gate Oxide and JFET-Region of 4H-SiC DMOSFETs
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. Vol. 63. Pag.3795-3799
ISSN:0018-9383.
DI BENEDETTO, Luigi; Licciardo, GIAN DOMENICO; Erlbacher, Tobias; Bauer, Anton J.; Liguori, Rosalba; Rubino, Alfredo
Versione online
Digital Object Identifier (DOI): 10.1109/TED.2016.2584218
Codice identificativo ISI: WOS:000384574400063
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84979073129
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