Luigi DI BENEDETTO | Progetti

In data 21.03.2023, su indicazione del docente responsabile prof. Francesco Polese, il progetto è stato spostato sotto il centro di responsabilità SIMAS, dove proseguiranno le attività contabili, amministrative e gestionali

Obiettivi principali della ricerca sono il design e la modellistica di circuiti integrati e di dispositivi elettronici a semiconduttore per sensori con elementi di innovazione che coinvolgono sia l'elemento sensibile, sia i circuiti di interfacciamento. Si svilupperanno e caratterizzeranno elettricamente sensori di temperatura e UV in Carburo di Silicio 4H (4H-SiC). SI progetteranno elementi sensi

Obiettivi principali della ricerca sono il design e la modellistica di circuiti integrati e di dispositivi elettronici a semiconduttore per sistemi smart sensor. Dal punto di vista del dispositivo si lavorerà con semiconduttori alternativi al silicio, in particolare Carburo di Silicio politipo 4H (4H-SiC) per la realizzazione di elementi sensibili con prestazioni migliori rispetto al silicio conve

Caratterizzazione di dispositivi elettronicie sviluppo di circuiti in tecnologia 4H-SiC per sensori e per applicazioni di potenza

Obiettivo dell'attività di ricerca è la progettazione di transistori in Carburo di Silicio politipo 4H (4H-SiC) e nella realizzazione di circuiti logici mediante transistori in materiali organici. I transistori in 4H-SiC saranno orientati ad applicazioni di potenza per le quali sarà necessario approfondire il comportamento termico delle giunzioni p-n in carburo di silicio. La realizzazione di circ