Luigi DI BENEDETTO | Pubblicazioni
Luigi DI BENEDETTO Pubblicazioni
| 2009 | |
| Contributo in Atti di convegno | |
| Selective Growth of B- and C-doped SiGe Layers in Unprocessed and Recessed Si Openings for pMOSFET Application. In: ECS Transaction ElectroChemical Society Inc. Pag.81-88 | |
| 17th International Chemical Vapor Deposition Symposium (CVD-XVII) - 216th Meeting of the Electrochemical Society Vienna (AUSTRIA) 4-9/10/2009 | |
| Kolahdouz, Mohammadreza; Tabib Zadeh Adibi, Pooya; Afshar Farniya, Ali; Trybom, Erik; DI BENEDETTO, Luigi; Shayestehaminzadeh, Mohammad; Radamson, Henry H. | |
| Digital Object Identifier (DOI): 10.1149/1.3207578 Codice identificativo ISI: WOS:000338305900009 Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-76549108240 | |
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| 2009 | |
| Contributo in Atti di convegno | |
| Strain balance approach for optimized signal-to-noise ratio in SiGe quantum well bolometers. In: Solid State Device Research Conference, 2009. ESSDERC '09. Proceedings of the European IEEE Pag.101-104 ISBN:9781424443512 | |
| European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) Atene 14-18/09/2009 | |
| DI BENEDETTO, Luigi; Kolahdouz, M; MALM B., G; Ostling, M; Radamson, H. H. | |
| Versione online | |
| Digital Object Identifier (DOI): 10.1109/ESSDERC.2009.5331312 Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-72849130225 | |
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