Luigi DI BENEDETTO | Pubblicazioni
Luigi DI BENEDETTO Pubblicazioni
2015 | |
Contributo in Atti di convegno | |
Temperature Dependency of the Forward Characteristics of 4H-SiC DMOSFETin Presence of SiO2/SiC Interface Traps. In: Official Proocedings MICROTHERM 2015 Lodz University of Technology, Department of Semiconductor and Optoelectronic Devices Pag.36-39 ISBN:9788393219735 | |
Microtherm 2015 Lodz, Polonia 23-25 Giuno 2015 | |
Licciardo, GIAN DOMENICO; DI BENEDETTO, Luigi; Bellone, Salvatore | |
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2015 | |
Contributo in Atti di convegno | |
Robust double-ring junction termination extension design for high voltage power semiconductor devices based on 4H-SiC. In: Materials Science Forum Trans Tech Publications Ltd Vol.821-823, Pag.656-659 | |
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2014 Grenoble, France 21 September through 25 September 2014 | |
Hürner, A; DI BENEDETTO, Luigi; Erlbacher, T.; Mitlehner, H.; Bauer, A. J.; Frey, L. | |
Versione online | |
Digital Object Identifier (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.656 Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84950336154 | |
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2015 | |
Contributo in Atti di convegno | |
Analytical prediction of the cross−over point in the temperature coefficient of the forward characteristics of 4H−SiC p+−i−n diodes. In: Silicon Carbide and Related Materials 2014 Trans Tech Publications, Switzerland Vol.821-823, Pag.628-631 | |
European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM 2014) Grenoble, Francia Settembre 21-25, 2014 | |
DI BENEDETTO, Luigi; Licciardo, GIAN DOMENICO; Bellone, Salvatore; Nipoti, Roberta | |
Digital Object Identifier (DOI): 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.628 Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84950317915 | |
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