Pubblicazioni

Heinrich Christoph NEITZERT Pubblicazioni


1989
Articolo in rivista
Charge carrier kinetics during growth of a-Si:H layers
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS. Vol. 114. Pag.166-168
ISSN:0022-3093.
H.C.Neitzert; A.Werner and M.Kunst
Codice identificativo ISI: WOS:A1989CK49700052
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-0024833251
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1989
Articolo in rivista
Hydrogen profiles of interfaces in amorphous silicon devices
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS. Vol. 115. Pag.75-77
ISSN:0022-3093.
H.C.Neitzert; M.Briere
Codice identificativo ISI: WOS:A1989CK50000021
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-0024815860
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1989
Articolo in rivista
Ion-beam-induced plastic deformation: a universal behaviour of amorphous solids
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS. Vol. 108. Pag.131-135
ISSN:1029-4953.
S.Klaumünzer; Changlin Li; S.Löffler; M.Rammensee; G.Schumacher; H.C.Neitzert
Digital Object Identifier (DOI): 10.1080/10420158908217877
Codice identificativo ISI: WOS:A1989AN69100014
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84867502890
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1989
Contributo in volume (Capitolo o Saggio)
Nuclear reaction analysis of electronic materials, Part II: Instability analysis of a-Si:H solar cell material.
In Proc. of the 19th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC) Pag.623-626
ISBN:3540510001
M.A.Briere; H.C.Neitzert
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-84907822270
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