Pubblicazioni

Heinrich Christoph NEITZERT Pubblicazioni


1991
Articolo in rivista
The influence of deposition temperature and annealing temperature on the optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon films
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Vol. 69. Pag.8320-8328
ISSN:0021-8979.
M.Kunst; H.C.Neitzert
Codice identificativo ISI: WOS:A1991FU81200058
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-0008057749
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1991
Articolo in rivista
Cavity formation and plastic flow of a-Si:H during heavy ion bombardment
JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH. Vol. 6. Pag.2109-2119
ISSN:0884-2914.
S.Klaumünzer; M.Rammensee; S.Löffler; H.C.Neitzert; G.Saemann-Ischenko
Codice identificativo ISI: WOS:A1991GJ50900014
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-0026238519
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1991
Articolo in rivista
Transient Microwave Detected Photoconductivity as a tool for in-situ evaluation of intrinsic a-Si:H films deposited and annealed at different temperatures
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS. Vol. 137&138. Pag.487-490
ISSN:0022-3093.
H.C.Neitzert; W.Hirsch; C.Swiatkowski; S.Schroetter; M.Kunst
Codice identificativo ISI: WOS:A1991GX22700119
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1991
Articolo in rivista
In-situ characterization of a-Si:H devices during growth by microwave detected transient photoconductivity
SOLAR ENERGY MATERIALS. Vol. 23. Pag.319-325
ISSN:0165-1633.
H.C.Neitzert; W.Hirsch; M.Kunst
Digital Object Identifier (DOI): 10.1016/0165-1633(91)90136-9
Codice identificativo ISI: WOS:A1991HH48300026
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-0026370207
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1991
Articolo in rivista
Hydrogen pileup at interfaces between differently doped layers of amorphous silicon
PHYSICA. B, CONDENSED MATTER. Vol. 170. Pag.529-532
ISSN:0921-4526.
H.C.Neitzert; M.A.Briere; P.Lechner
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-0026137699
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1991
Articolo in rivista
Transient photoconductivity of a-SiGe:H alloys
PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. Vol. 44. Pag.1081-1086
ISSN:0163-1829.
M.Kunst; H.C.Neitzert; H.Rübel
Codice identificativo SCOPUS: 2-s2.0-35949012133
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